企业简介
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稳懋半导体股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI257173 | 具有新颖场板结构的场效电晶体 | 2006.06.21 | 一种具有新颖场板结构的场效电晶体(FET)，其系关于一种设有场板的萧特基闸场效电晶体，用以增加操作电 |
| 2 | TW200408124 | 异质接面双极电晶体之功率电晶体 | 2004.05.16 | 一种异质接面双极电晶体(HBT)之功率电晶体，其结合使用压舱电阻(ballastingresisto |
| 3 | CN1296291A | 变形异质接面双极性晶体管 | 2001.05.23 | 一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形 |
| 4 | CN103633062B | 化合物半导体集成电路 | 2016.11.02 | 本发明有关一种化合物半导体集成电路，包含一基板、至少一化合物半导体电子元件、一第一金属层、一保护层、 |
| 5 | TW494577 | 具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆之材料结构的新型变形异质接面双极性电晶体 | 2002.07.11 | 一种变形异质接面双极性电晶体(metamorphic hete- rojunction bipola |
| 6 | CN106257828A | 偏压电路 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种偏压电路，包含有一偏压模块，电性连接于一放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一 |
| 7 | CN106611760A | 化合物半导体集成电路的电路布局方法 | 2017.05.03 | 本发明提供一种化合物半导体集成电路的电路布局方法，包括：划定在一重叠区域相重叠的一第一电路布局及一第 |
| 8 | CN103972226B | 半导体集成电路 | 2017.04.12 | 一种化合物半导体集成电路，其具有表面以及/或背面金属层，可用于连接至外部电路。该化合物半导体集成电路 |
| 9 | CN104124270B | 异质接面双极晶体管布局结构 | 2017.04.12 | 一种异质接面双极晶体管布局结构，包括一或多个异质接面双极晶体管，其中每一个包含一基极、一射极以及一集 |
| 10 | CN106558564A | 半导体元件背面铜金属的改良结构 | 2017.04.05 | 一种半导体元件背面铜金属的改良结构，其中前述改良结构由上而下依序包括有一主动层、一基板、一背面金属种 |
| 11 | CN106531697A | 声波元件保护结构及其制造方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种声波元件保护结构及其制造方法，用以于封装过程中保护具有一共振区的一声波元件，以避免封 |
| 12 | CN106505100A | 异质接面双极晶体管 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种异质接面双极晶体管，其包括在一GaAs基板上的一集电极、一基极和一发射极，其中所述基 |
| 13 | CN104051421B | 结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法，其中前述结构由包括有一基板、至少 |
| 14 | CN106449577A | 高频封装结构 | 2017.02.22 | 本发明提供一种高频封装结构，包含一接地引脚，耦接于一晶粒的一接地部，设置于该高频封装结构的一侧边，该 |
| 15 | CN106449528A | 高频封装结构 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种高频封装结构，包括：一晶粒、复数个引脚以及一晶粒座，其中，所述晶粒座的表面低于所述复 |
| 16 | CN106449582A | 高频封装结构 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种高频封装，包含有一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包 |
| 17 | CN103915491B | 化合物半导体静电保护元件 | 2017.01.18 | 一种化合物半导体静电保护元件，包含三种类型，其中每一种类型包含一多栅栅极增强型场效晶体管。第一型中， |
| 18 | CN106298708A | 封装结构及三维封装结构 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种封装结构，包含有至少一接脚，用来传递至少一讯号；至少一走线层，连接于该至少一接脚，该 |
| 19 | CN106301249A | 功率放大器 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种功率放大器(Power Amplifier，PA)，包含有至少一放大晶体管及至少一辅 |
| 20 | CN106301244A | 低噪声放大器 | 2017.01.04 | 一种具有噪声与线性度改善之低噪声放大器，包含有一放大晶体管及一辅助晶体管，该放大晶体管包含有一第一端 |
| 21 | CN106158823A | 金属化穿透孔结构及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明提供一种金属化穿透孔结构及其制造方法，金属化穿透结构的制造方法包括：以可蚀刻磊晶结构而无法蚀刻 |
| 22 | CN103915432B | 化合物半导体静电保护元件 | 2016.09.07 | 一种化合物半导体静电保护元件，包含一多栅极增强型场效晶体管或数个单栅极增强型场效晶体管，其中每一个栅 |
| 23 | CN105743459A | 声波元件改良结构、整合结构及其制造方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种声波元件改良结构、整合结构以及制造方法。本发明的整合结构，包括：化合物半导体磊晶基板、 |
| 24 | TWI528526 | 化合物半导体静电保护元件 | 2016.04.01 | 化合物半导体静电保护元件，包含一多闸极增强型场效电晶体或复数个单闸极增强型场效电晶体，其中每一个闸极 |
| 25 | CN103489859B | 化合物半导体组件晶圆整合结构 | 2016.03.30 | 本发明关于一种化合物半导体组件晶圆整合结构，由下至上依序包括一基板、一第一磊晶层、一蚀刻终止层、一第 |
| 26 | CN103208472B | 具有三维元件的复合物半导体集成电路 | 2016.03.02 | 本发明是有关一种具有三维元件的复合物半导体集成电路，如一种将焊垫或电感以三维方式设置于电子元件上方的 |
| 27 | CN103489860B | 一种化合物半导体晶圆结构 | 2016.02.10 | 本发明关于一种化合物半导体晶圆结构，包含一基板、一n型场效晶体管磊晶结构，一n型掺杂蚀刻终止层、一p |
| 28 | TW201605043 | 异质接面双极性电晶体 | 2016.02.01 | 异质接面双极性电晶体，其包括：一长条形基极平台、一长条形基极电极、两个长条形射极、一个长条形集极以及 |
| 29 | CN105261639A | 异质接面双极性电晶体 | 2016.01.20 | 本发明异质接面双极性电晶体，其包括：一长条形基极平台、一长条形基极电极、两个长条形射极、一个长条形集 |
| 30 | TW201601275 | 结合基板通孔与金属凸块之半导体晶片结构及覆晶式晶片堆叠结构 | 2016.01.01 | 结合基板通孔与金属凸块之半导体晶片结构，其中前述结构由包括有一基板、至少一基板通孔、至少一背面金属层 |
| 31 | TWI512905 | 化合物半导体元件晶圆整合结构 | 2015.12.11 | |
| 32 | CN105097509A | 高电子迁移率电晶体植入硼隔离结构的制作方法 | 2015.11.25 | 本发明提供一种高电子迁移率电晶体植入硼隔离结构的制作方法，包括：依序形成一基板、一成核层、一缓冲层、 |
| 33 | CN105097959A | 高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器 | 2015.11.25 | 本发明提供一种高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器，应用于复合半导体集成电路，包括：一基板、一隔离层、 |
| 34 | TWI504779 | 无电解电镀设备 | 2015.10.21 | |
| 35 | TWI505409 | 一种化合物半导体晶圆结构 | 2015.10.21 | |
| 36 | TWI505481 | 太阳能电池软板模组其制造方法 | 2015.10.21 | |
| 37 | CN103066026B | 高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法 | 2015.10.21 | 本发明是一种高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法，其中前述改良结构包括有一基板、一主动层、一金属 |
| 38 | TWI504780 | 一种利用无电解电镀法将金属种子层镀在半导体晶片的背面及导孔的制程方法 | 2015.10.21 | |
| 39 | TWI495099 | 具高电流增益之异质接面双极电晶体结构及其制程方法 | 2015.08.01 | |
| 40 | TWI495216 | 具有静电保护元件之积体电路 | 2015.08.01 | |
| 41 | CN102789995B | 制作金属凸块与熔接金属的制程方法 | 2015.07.22 | 一种提升金属凸块结构表面熔接金属的共面性的制程方法，适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，且当元件表 |
| 42 | TWI480941 | 高抗折强度半导体晶元改良结构及其制程方法 | 2015.04.11 | |
| 43 | TWI481025 | 高电子迁移率电晶体改良结构及其制程方法 | 2015.04.11 | |
| 44 | TWI476877 | 气腔式封装结构及方法 | 2015.03.11 | |
| 45 | TWI475690 | 多闸半导体装置 | 2015.03.01 | |
| 46 | TWI473226 | 具有三维元件之化合物半导体积体电路 | 2015.02.11 | |
| 47 | TW201442229 | 异质接面双极电晶体布局结构;LAYOUT STRUCTURE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS | 2014.11.01 | 一种异质接面双极电晶体布局结构,包括一或多个异质接面双极电晶体,其中每一个包含一基极、一射极以及一集 |
| 48 | CN104124270A | 异质接面双极晶体管布局结构 | 2014.10.29 | 一种异质接面双极晶体管布局结构，包括一或多个异质接面双极晶体管，其中每一个包含一基极、一射极以及一集 |
| 49 | CN104051421A | 结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法 | 2014.09.17 | 本发明公开了一种结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法，其中前述结构由包括有一基板、至少 |
| 50 | CN104051293A | 晶圆边缘保护装置 | 2014.09.17 | 本发明是一种晶圆边缘保护装置，其安装于一用于氮化镓半导体元件及电路制程的感应耦合电浆离子蚀刻机台内， |
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